В МИЭТе разработали технологию изготовления приборов нитрида галлия на кремниевой подложке диаметром 150 мм

Нитриды галлия постепенно приходят на смену арсениду галлия: они позволяют получать более мощные приборы СВЧ-диапазона, работающие при более высоких температурах.

До сегодняшнего дня в нашей стране создавались приборы нитрида галлия на кремнии диаметром менее 100 мм. Однако, в лаборатории элементной базы наноэлектроники кафедры «Квантовая физика и наноэлектроника» МИЭТ создали технологию, позволяющую работать с пластинами нитрида галлия на кремниевой подложке диаметром 150 мм. Это достижение миэтовских ученых стало прорывным в области технологий по СВЧ-элементной базе и вошло в программу развития Центра компетенций НТИ «Сенсорика», открытого на базе МИЭТ в прошлом году.

ПЕРВЫЕ ПРОБЫ И РЕЗУЛЬТАТ

Физические принципы и формирования приборов нитридной группы были заложены и сформулированы еще нобелевским лауреатом Ж.И. Алферовым в те годы, когда он со своей командой занимался лазерами. Именно на основе его разработок стали изготавливать детали и микросхемы для СВЧ-техники – нитридные гетероструктуры. Однако цена таких микросхем была огромной, потому что материалы подложки (того, на чем они держались) стоили огромных денег. Когда задумались, как их удешевить, решили совместить технологию, которая используется в мире для распространенных кремниевых подложек с диаметром 500 мм, и СВЧ-технологии с диаметром 50 мм (вот она – разница в цене). Трудозатраты при этом оставались теми же. Однако перейти на больший диаметр не позволяло отсутствие отработанных надежных технологий изготовления. Поэтому стали искать возможности изготовить нитрид галлия на кремнии: сначала они были реализованы за рубежом, а потом и у нас.

Первые отечественные приборы были созданы в МИЭТ в 2012-м году на подложках нитрида галлия на кремнии диаметром 50 мм. Сначала они, конечно, были не очень хорошего качества, но принцип изготовления был применен. А в 2017-м МИЭТ вплотную подошел к тому, чтобы изготавливать нитрид галлия на приборы на подложках кремния диаметром 150 мм.

– Мы понимали, что если у нас это получится, мы будем обладать технологиями мирового уровня, – рассказывает ведущий научный сотрудник МИЭТ, заведующий лабораторией «Элементная база наноэлектроники» кафедры «Квантовая физика и наноэлектроника» Владимир Егоркин.

– Фирмы с мировым именем держат в секрете технологии изготовления таких пластин и составы рабочих структур, при том, что бизнес уже давно говорит о мощнейших характеристиках приборов на них

Действительно, за рубежом есть даже такая услуга для компаний: вам проводят выращивание структуры по вашему заданию, при этом вся ответственность за «дизайн» структуры лежит на заказчике. Ведь чтобы понять и смоделировать такую структуру, нужно быть высококвалифицированным специалистом в области физики полупроводниковых приборов. Ученым МИЭТа удалось смоделировать, рассчитать и изготовить СВЧ приборы на пластинах диаметром 150 мм и создать экспериментальные образцы сверхмощных СВЧ-приборов, которые показали отличные характеристики, сравнимые с зарубежными аналогами.

– Овладев этой технологией, мы получили пробивное напряжение в районе 250 вольт! Сравните, у арсенида галлия, который использовался ранее, напряжение равняется 25-ти вольтам, – говорит Владимир Егоркин.

– Такие мощности особенно важны для внедрения в России пятого поколения мобильной связи. Количество подложек для производства СВЧ-приборов для телекоммуникаций можно сократить в два раза! Это, безусловно, существенно отразится на стоимости готовых микросхем.

Сейчас ученые МИЭТ находятся на этапе завершения процесса идеологии создания алгоритмов и выбирают частотные диапазоны для того чтобы запустить производство микросхем на диаметре 150 мм для отечественных СВЧ-приборов нитрида галлия.

Нитрид галлия используется в качестве полупроводникового материала для создания светодиодов, лазеров и сверхвысокочастотных транзисторов.