АРХИВ ЗНАМЕНАТЕЛЬНЫХ СОБЫТИЙ

Лента новостейВСЕ »
Мероприятия скоро!
Декабрь 2016
Пн Вт Ср Чт Пт Сб Вс
22
26

Мероприятия 26 декабря

Закрыть

Архив мероприятий »
Будущие мероприятия »

План мероприятий префектуры »

2002 г.
На совместном заседании Совета Безопасности РФ, президиума Госсовета и Совета по науке и высоким технологиям при президенте РФ приняты «Основы политики РФ в области развития науки и технологий на период до 2010 г. и дальнейшую перспективу». Выработаны перспективные направления развития и перечень критических технологий.
Постановлением правительства было определено проведение «Инвентаризации интеллектуальной собственности, учета результатов НИОКР и технологических работ военного, специального и двойного назначения».
Принят закон Москвы о городской целевой программе развития территориальной единицы с особым статусом «Особая экономическая зона Зеленоград» на 2002-2006 гг.
В бюджете России на 2002 г. в рамках программы «Национальная технологическая база» предусмотрено финансирование пуска линейного ускорителя синхротрона, сооружаемого в НИИФП им Ф.Лукина в Зеленограде.
25 декабря 2002 г. успешно проведен экспериментальный пуск линейного ускорителя, являющегося частью комплекса синхротрона.

2001 г.
АООТ «НИИМЭ и завод «Микрон» сертифицировано по стандарту качества ISO 9001.
11 ноября утверждена федеральная целевая программа (ФЦП) «Реформирование и развитие оборонно-промышленного комплекса (ОПК) на 2002-2006 гг.», утверждена ФЦП «Основы политики РФ в области развития ОПК на период до 2010 г. и дальнейшую перспективу», ведущие к полной реструктуризации российского ВПК.
Постановлением правительства утверждена ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям науки и техники на 2002-2006 гг.».

2000 г.
Президент России В.ПУТИН посетил Зеленоград, открыв Инновационный центр при МИЭТе, и выступил перед собравшимися в клубе МИЭТа.
Учреждено совместное предприятие: ЗАО «Воронежский завод полупроводниковых приборов» - «Микрон».
В сентябре введен в эксплуатацию «Технопарк Зеленоград» - бизнес-инкубатор новых технологий на площадях завода «Элма» (14 тыс. кв. м), где разместились 39 малых предприятий.

1999 г.
Правительство Москвы приняло постановление «О мерах поддержки предприятий-участников Особой зоны г.Зеленограда».

1998 г.
Указ президента РФ, постановление правительства РФ «О создании холдинга - компании «Российская электроника» - вертикально-интегрированной структуры, в состав которой вошли 28 компаний. Генеральный директор - В.ДШХУНЯН.
Ректором МИЭТа избран д.т.н., профессор Ю.ЧАПЛЫГИН, выпускник МИЭТа 1974 г. В корпусе №9 МИЭТа открыт Инновационный центр новых технологий.
В августе 1998 г. в России разразился кризис (падение рубля более чем в 4 раза по отношению к доллару), что сорвало многие из близких к завершению планов и преобразований в науке, промышленности, а также в малом и среднем бизнесе.

1997 г.
В АООТ «НИИМЭ и завод «Микрон» завершено строительство и закончены пусконаладочные работы в новой чистой комнате с технологией производства 0,8-1,2 мкм на пластинах диаметром 150 мм.
На заводе «Квант» развернут выпуск персональных компьютеров, объем - около 150 тыс. в год.
Постановление правительства Москвы «О создании в Москве Территориально-промышленной зоны с особым статусом на базе предприятий электронной промышленности г. Зеленограда».
В декабре 1997 года постановлением Мосгордумы образована Особая зона г. Зеленограда.

1996 г.
Указ президента РФ «О предоставлении инвестиционного налогового кредита предприятиям электронной промышленности г. Зеленограда».
На ОАО «Ангстрем» введена в эксплуатацию линия для производства БИС с минимальными размерами 0,8-1,2 мкм на пластинах диаметром 150 мм.

1995 г.
Постановление правительства РФ «О государственной поддержке предприятий электронной промышленности г.Зеленограда».
На АООТ «НИИМЭ и завод «Микрон» введена в строй линия по выпуску тонкопленочных КС-матриц в интегральном исполнении.

1994 г.
Постановлением правительства РФ НИИФП и НПК «Технологический центр» присвоен статус государственных научных центров РФ.
Постановление правительства РФ «О российской государственной программе развития электронной техники» на 1994-2000 гг.».
Постановление правительства Москвы «О перспективах развития Зеленограда как города-спутника Москвы».
Акционировался завод «Элма».

1993 г.
В июне 1993 г. НИМИ и завод «Ангстрем» преобразованы в ОАО.
На «Микроне» учреждено совместное с компанией «Хуако» (Гонконг) предприятие «Корона» по выпуску субмикронных ИС.

1992 г.
30 лет со дня основания Научного центра, первых предприятий НИИМП и НИИТМ.
Ряд предприятий Зеленограда акционируют, в т.ч. НПО «Зенит», НИИТМ, «Элион» и пр.
НИИМЭ и завод «Микрон» сертифицированы фирмой Samsung Electronics.
НИИМЭ и завод «Микрон», «Ангстрем» самостоятельно вышли на внешний рынок.

1991 г.
Распоряжение президента СССР «О рассмотрении вопросов, связанных с созданием технополиса в г.Зеленограде».
Постановление СМ РСФСР «О первоочередных мерах по развитию свободной экономической зоны в г. Зеленограде».

1990 г.
Вышло Постановление Верховного Совета РСФСР «О создании зон свободного предпринимательства». Зеленоградские руководители активно включились в поиск путей экономического и социального развития города в новых условиях.
Ряд предприятий получили разрешение правительства на проведение самостоятельной, в т.ч. внешнеэкономической, деятельности.

1989 г.
Началось строительство ЦИЭ и жилого массива в Крюкове.
Начала действовать технологическая линия в НПК «Технологический центр» МИЭТа.

1988 г.
На «Ангстреме» создан первый в СССР микропроцессор на 32 разряда.
На «Микроне» впервые изготовлены быстродействующие базовые матричные кристаллы (БМК) ЭСЛ высокого уровня интеграции.

1987 г.
На базе НПО «НЦ» образован концерн «Научный Центр», в состав которого вошли НИИМЭ, НИИНЦ, НИИТМ, инженерный центр и заводы «Микрон», «Квант», «Элион», «Элакс». Генеральным директором назначен Ю.ДЬЯКОВ.
МИЭТ передал в серийное производство специальную вычислительную систему управления корабельным зенитным комплексом.

1986 г.
Постановление ЦК КПСС и СМ СССР о создании Центра информатики и электроники. Общая площадь научно-производственных и вспомогательных зданий должна составить 420 тыс. кв. м, годовой объем производства - около 2,5 млрд. руб., численность - 15-18 тыс. работающих.

1985 г.
В НИИФП создан лазерный анализатор микрочастиц для контроля технологических сред, фильтров и прибор для экспресс - обнаружения органических примесей в жидкости.
Министр электронной промышленности СССР А.ШОКИН ушел в отставку.

1984 г.
МИЭТ награжден орденом Трудового Красного Знамени за заслуги в создании специальной техники и подготовку высококвалифицированных специалистов. Ректор МИЭТа Л.ПРЕСНУХИН избран членкором АН СССР.
В НПО «НЦ» разработаны первые персональные компьютеры ДВК-1.
Началось строительство инженерно-производственного комплекса для синхротрона в НИИФП и проектирование синхротрона в Институте ядерной физики в новосибирском Академгородке.

1983 г.
НИИМЭ и завод «Микрон» награждены орденом Трудового Красного Знамени.
На «Ангстреме» началось массовое производство БИС ЗУ 64К, пилотное производство БИС ЗУ 256К, разработка БИС ЗУ 1 Мб с минимальными проектными нормами 1 мкм.

1982 г.
В НПО «Зенит» закончена разработка систем защиты вертолетов от управляемых ракет «земля - воздух», что резко сократило потери в Афганистане.
«Микрон» начал выпуск вентильных матриц для суперЭВМ «Эльбрус». В НИИМП разработана станция «Сургут-51» для управления сложной аппарат урой автономных космических аппаратов. На борту спутника «Поток-1» запущена бортовая ЭВМ «Салют-4К», предназначенная для управления геостационарными спутниками связи.
Началось проектирование инженерно-производственного комплекса (ИПК) с синхротроном для проведения работ аналитических исследований в области субмикронной технологии, микромеханики, нанотехнологии.

1981 г.
Министр А.ШОКИН стал дважды Героем Социалистического Труда.
«Ангстрем» за большие успехи награжден орденом Октябрьской революции.
На «Ангстреме» получены первые образцы БИС ЗУ 256 килобит (около 2 млн. элементов на кристалле с минимальным размером около 1,2 мкм).
Разработана микроЭВМ НЦ-32, которая стала управляющей микроЭВМ для обрабатывающих многопозиционных станков.
Принято решение о строительстве заводов «Квант» и «Элакс».
В МИЭТе закончены и переданы в производство спецвычислители для пунктов разведки и управления огнем для артиллерии ВДВ и системы «Тунгуска».

1980 г.
На «Микроне» изготовлена 100 миллионная ИС, «Ангстрем» выпустил 1 млн. калькуляторов, изготовлена одноплатная микроЭВМ НЦ-80.
В НПО «НЦ» начата работа над персональными компьютерами.
Первая Всесоюзная конференция по приборостроению в Таллинне.
НПО «НЦ» признан мозговым центром, лидером в науке, технологии и производстве в области микроэлектроники СССР.

1979 г.
За ведущими предприятиями НПО «НЦ» закреплены серийные заводы по выпуску разработанной на головных предприятиях продукции.
Уровень интеграции на кристалле достиг 100 тыс. элементов. Разработан быстродействующий микропроцессорный комплект БИС на «Микроне», на «Ангстреме» - однокристальный микропроцессор.

1978 г.
На «Ангстреме» начато производство управляющей ЭВМ для станков (НЦ-31) для станкоинструментальной промышленности. НЦ-31 переданы на серийное производство на завод в г. Смоленске, где с 1979 по 1990 гг. было выпущено 80 тыс. этих ЭВМ, оснастивших практически все основные типы металлообрабатывающих станков, производимых в СССР.
Утверждены комплексные целевые программы создания БИС ЗУ, микропроцессоров, логических ИС.
Постановлением СМ СССР МИЭТ включен в число ведущих вузов страны.

1977 г.
«Ангстрем» разработал и освоил ЗУ 16 К (примерно 100 тыс. элементов на кристалле).
В НПО «НЦ» прошла Межотраслевая конференция, посвященная применению в аппаратуре БИС и микропроцессоров, показавшая необходимость дальнейшего развития НПО «НЦ» и Зеленограда в целом.

1976 г.
Создано НПО «Научный Центр», в  состав которого вошли 39 предприятий, расположенных помимо Зеленограда в Москве и союзных республиках. Общая численность работающих составила около 80 тыс. человек. Генеральным директором назначен А.МАЛИНИН.
«Элас» награжден орденом Ленина за выдающийся вклад в практическую космонавтику.
СКВ ИВИС преобразовано в НИИ «Зенит» с заводами «Фотон» и «Ксенон».

1975 г.
В НЦ разработаны 1020 типов ИС. Начато массовое производство ИС и БИС. «Ангстрем» и «Микрон» выпускают более 18 млн. ИС в год (45 тыс. магнитофонов, микрокалькуляторов и т.д.).
Численность работающих в промышленности города достигла 45 тыс. человек.
На базе НИИМП, заводов «Компонент», «Микроприбор» и СЭМЗ образовано НПО «Элас».

1974 г.
Разработанная НИИМП бортовая ЭВМ «Салют» успешно стартовала на околоземную орбиту на борту космического аппарата «Космос-697».
Во главе с заводом «Микрон» создан научно-производственный комплекс (НПК). В составе предприятия: «Азон» (Баку), «Мион» (Тбилиси), «Мезон» (Кишинев).
Получены первые образцы микропроцессоров, БИС ЗУ 4 К (20 тыс. элементов на кристалле), начат серийный выпуск микрокалькуляторов.
В НИИФП разработаны первые отечественные ПЗС (приборы с зарядовой связью). Создана первая в стране линия оптоволоконной связи, соединившая НЦ и АТС.
За большой вклад в развитие науки, промышленности и городского хозяйства признанные лидеры предприятий и города - К.ВАЛИЕВ, Г.ГУСЬКОВ, Л.ЛИВИНЦЕВ; А.МАЛИНИН, В.САВИН - удостоены Ленинской премии.

1973 г.
Началась разработка БИС-микропроцессоров.
Силами комплексной бригады НИИТТ создан первый отечественный микрокалькулятор на БИС - БЗ-04. Госкомиссия приняла первые 43 серии малогабаритных спутниковых систем правительственной связи «Сургут», разработанных НИИМП.
На предприятиях НЦ работает более 38 тыс. человек.

1972 г.
Уровень технологии позволил осуществлять разработку первых больших интегральных схем (БИС). Предприятия НЦ стали донорами - передавали технологию, обучали кадры, налаживали производство на заводах в Минске, Ленинграде, Кишиневе, Тбилиси, Баку, Вильнюсе. Организовано производство серии 155 в Польше. Заказчиками ИС стали практически все ведущие предприятия страны - разработчики оборонных комплексов.
По просьбе соцстран организована группа по координации развития микроэлектроники при СЭВе. Возглавить группу поручили НЦ.
Коллективы НИИМЭ за разработку ИС серии 155 и НИИТМ за комплекс технологического оборудования получили Госпремию.
По просьбе А.КОСЫГИНА НИИТМ и «Элиону» поручена разработка и изготовление комплексной технологической серии оборудования по обработке алмазов. Линия была изготовлена за 7 месяцев и поставлена на завод «Кристалл» в Смоленске.
Состоялся первый выпуск молодых специалистов из МИЭТа.

1971 г.
Закончено строительство основного комплекса зданий МИЭТа.
Указом Президиума Верховного Совета СССР Научный Центр за большие успехи в создании комплексной научно-производственной базы и выпуск ИС и микроэлектронной аппаратуры награжден орденом Ленина.

1970 г.
В Зеленограде закончено строительство 1-й очереди - 380 тыс. кв. м промышленных площадей, 720 тыс. кв.м жилья, 10 школ, 24 детских садов, 3 яслей, горбольницы, кинотеатра «Электрон», музыкальной школы, АТС.
Население составило 74 тыс. человек, численность работающих на предприятиях НЦ достигла 13 тыс. человек.
Директором Научного Центра назначен генерал А.ПИВОВАРОВ.

1969 г.
Заводы «Ангстрем» и «Микрон» выпускают уже более 200 типов ИС.
ИС «Тропа-1» была применена в аппаратуре космического корабля, облетевшего Луну и вернувшегося на Землю.
Коллективы НИИМП, НИИТТ, НИИТМ получили Госпремии за создание аппаратуры, разработку и производство ИС, создание технологического оборудования.
На заводах начался переход с пластин кремния диаметром 40 мм на диаметр 50 и 60 мм, что потребовало полного переоснащения новым технологическим оборудованием и пересмотра организации производства.

1968 г.
Закончено строительство основных зданий Южной промзоны.
В НИИМП создана и принята на вооружение система сигнализации «Сирена» для авиации.
Начат выпуск самой массовой серии ИС 155.
Приказ МЭП об организации самостоятельного предприятия ЦБПИМС с размещением на площадях «школы-интерната».

1967 г.
В НИИМЭ создан базовый технологический процесс - основа массового производства биполярных ИС.
Заложен фундамент завода «Микрон».
Вышел в свет первый сборник «Микроэлектроника» под редакцией Ф.ЛУКИНА.

1966 г.
На опытных линиях НИИМЭ выпущены первые 100 тысяч транзисторов «Плоскость», организован цех по производству интегральных схем, начался выпуск ИС «Иртыш». В НИИТТ под руководством Г.ВАСИЛЬЕВА разработан первый МОП-транзистор. «Элма» начала выпуск 15 видов материалов. «Элион» освоил выпуск около 20 типов технологического оборудования.
Набран первый курс студентов в МИЭТ.

1965 г.
Приказом ГКЭТ директором НИИМЭ назначен К.ВАЛИЕВ.
Приказом ГКЭТ директором НИИТМ назначен В.САВИН.
Постановлением ЦК КПСС и СМ СССР ГКЭТ превращен в Министерство электронной промышленности, министром назначен А.ШОКИН.
В городе введено в строй 60 тыс. кв. м производственных площадей, 132 тыс. кв. м жилья, кинотеатр «Электрон», открыта горбольница №3.
Принято решение о создании Московского института электронной техники. Строительство и оснащение вуза поручено МЭП.
На базе цеха по производству пьезоэлементов организован завод «Пьезоэлемент».
В НИИМЭ разработана первая ИС «Иртыш».

1964 г.
Приказом ГКЭТ организован НИИ молекулярной электроники. Директором назначен И.ГУРЕЕВ.
Приказом ГКЭТ организован НИИФП. Директором назначен В.СТАФЕЕВ.
Приказом ГКЭТ строящийся завод при НИИМП передан НИИТТ (будущий «Ангстрем»).
В НИИТТ начался выпуск приемника «Микро».
Начаты работы по созданию технологии и конструкции схем «Тропа».
Окончено строительство завода «Элион» площадью 40 тыс. кв. м.

1963 г.
Директор НИИ-37 ГКРЭ д.т.н. проф. Ф.ЛУКИН назначен зам. пред. ГКЭТ СССР и директором Центра микроэлектроники.
Населенному пункту в районе ст. Крюково присвоено название Зеленоград.
СКБ ИВИС перебазировано из Москвы в Зеленоград. Оно расположилось в здании товарной конторы ст. Крюково, его производственные подразделения разместили на вспомогательных площадях зеленоградской котельной.
Приказ ГКЭТ об организации НИИТТ. Директором института назначен В.СЕРГЕЕВ.
Приказ ГКЭТ об организации НИИМВ с опытным заводом. Главным инженером института назначен А.МАЛИНИН.
В НИИ «Пульсар» Госкомиссией принят первый отечественный планарный бескорпусной транзистор «Плоскость», легший в основу освоения планарной технологии и создания гибридных интегральных схем в Зеленограде.

1962 г.
Постановлением ЦК КПСС и СМ СССР в Москве организовано Специальное КБ высокоинтенсивных источников света (СКВ ИВИС), будущий НИИ «Зенит».
Постановление ЦК КПСС и СМ СССР о создании Центра микроэлектроники. В состав Центра вошли: НИИ теоретических основ микроэлектроники - будущий НИИФП, НИИ микросхемотехники с опытным заводом - будущий НИИМП, НИИ технологии микроэлектроники - будущий НИИТТ, НИИ машиностроения с опытным заводом - будущий НИИТМ, НИИ специальных материалов с опытным заводом - будущий НИИМВ.
НИИ точного машиностроения, НИИ микроприборов организованы на временных площадях.

1961 г.
Создан Государственный комитет по электронной технике СССР. Председателем ГКЭТ назначен А.ШОКИН.
На заседании Президиума ЦК КПСС А.ШОКИН демонстрирует возможности полупроводниковой и СВЧ-электроники.
В городе началось строительство завода моточных изделий - будущего завода «Компонент».

1960 г.
Р.Нойс создал первую кремниевую интегральную схему.

1959 г.
Джек Килби (США) создал первую в мире интегральную схему на германии.
Решение Мосгорисполкома «Об утверждении проекта детальной планировки нового города в р-не ст. Крюково».

1958 г.
Постановление Совета Министров СССР «О строительстве нового  города в пригородной зоне Москвы в р-не ст. Крюково Октябрьской железной дороги».
_____________________